
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
基础信息
1. 门触发:VGT、IGT
2. 维持电流:IH、IL
3. 阻断参数:VD、VR、ID、IR
4. 压降参数:VTM、ITM
5. 电压上升率:dv/dt
6. 电流变化率:di/dt
7. 关断时间:Tq
8. 恢复电荷:Qr、Irr、Trr
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大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
主要量程
1. 阳电压:12V
2. 阳串联电阻:12Ω
3. 门触发电压:0.3—5.00V
4. 门触发电流:1—500mA
5. 维持电流:1—500mA
6. 擎住电流:5—1000mA
7. 通态电流:600—8000A
8. 通态压降:0.3—9.99V
9. 阻断电压:200—8000V
10. 正反向漏电流:1—250mA
11. dv/dt箝位电压VDM:500~4KV
12. 电压上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
13. 通态电流:200—2000A
14. 反向电压:50—200V
15. 再加电压:500—3000V
16. 关断时间:4—1500μS
17. 反恢电荷:200μQ—15000μQ
18. 再加电压上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS
19. di/dt:10A/μS、20A/μS
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气动夹具
1. 压力方式:气压
2. 压力范围:10~60KN
3. 压力分辨率:0.1KN
4. 控温范围:70~180℃
5. 控温精度:70℃—125℃±1.0℃
6. 控温精度:125℃—180℃±1.5℃
7. 温度分辨率:0.1℃
8. 夹头耐压:10KV
9. 夹头行程:≥80mm
10. 台面直径:大于Φ130mm
11. 夹头找平:≥1mm
12. 夹头平面度:≤20μm
13. 导柱间跨距:≥310mm
14. 夹头大电流:10000A
15. 夹头性:上为阴,下为阳
16. 采样:上下夹头采样顶针同轴
17. 电源:AC50HZ/220V功率≤5KW
18. 夹具可安装适配器,应对不同封装
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大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
系统单元
1. 门触发参数测试单元
2. 维持电流测试单元
3. 擎住电流测试单元
4. 阻断参数测试单元
5. 通态压降参数测试单元
6. 电压上升率参数测试单元
7. 关断时间参数测试单元
8. 恢复电荷参数测试单元
9. 自动热稳态压力夹具
10. 计算机控制系统
11. PLC控制系统
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性能指标
通态压降测试
1. 通态电流:600—8000A±3%±10A
2. 通态压降:0.3—9.99V±3%±10mV
3. 电流达到电流峰值的时间:≥5ms
4. 可测设定前沿电流和后沿电流的压降。可测门槛电压和斜率电阻
5. (此功能由单独“通态特性曲线”测试程序完成)
6. 测试频率:单次
7. 计算机显示:ITM/IFM,VTM/VFM数值
dv/dt测试
1. dv/dt箝位电压VDM:500—4000V,数码设定,数字表显示
2. dv/dt箝位电压VDM静态精度:±5%
3. 电压上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
4. 电压上升率误差:±10%(在再加电压2000V(负载电容2.2nF)下作为核点)大过压时间超过0.5us的瞬态电压<200V
5. 信号指示:具有测试信号指示、通过指示、失败指示
6. 测试频率:约0.5HZ;电压近似线性上升率"
高压伏安特性
1. 阻断电压:200—8000V±3%±10V
2. 电压分辨率:0.01KV
3. 正反向漏电流:1—250mA±3%±0.1mA
4. 正反向漏电流分辨率:0.1mA
5. 显示阻断特性曲线,设备有输出电压和电流保护功能
6. 测试频率:5或50HZ
7. 电压调节:手动调节计算机显示阻断电压和漏电流数值
门触发特性
1. 阳电压:12V
2. 阳串联电阻:12Ω
3. 门触发电压:0.3—5.00V±5%±10mV
4. 门触发电流:1—500mA±5%±1mA
5. 测试频率:单次计算机显示VGT、IGT数值
擎住电流
1. 阳电压:12V
2. 擎住电流:5—1000mA±5%±1mA
3. 计算机显示:IL数值
维持电流
1. 阳电压:12V
2. 维持电流:1—500mA±5%±1mA
3. 测试频率:单次预导通电流:约10A、20A和40A三档
4. 计算机显示:IH数值
关断时间及恢复电荷
1. 通态电流:200—2000A±5%(数码设定)
2. 脉宽4Ms
3. 反向电压:50—200V
4. 反向设定电压静态精度±5%(数码设定)
5. 再加电压:500—3000V
6. 再加电压静态设定精度±5%(数码设定)
7. 关断时间:4—1500μS±5%±1μS
8. 反向恢复电荷:大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ
9. 重复性:快速晶闸管±50μQ;普通晶闸管±100μQ
10. 再加电压上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS三档
11. ±10%再加电压在1000V(负载电容2.2nF)下作为核点
12. 电压上升率按指数法计算
13. 反向电流di/dt:10A/μS、20A/μS,精度±15%,电流在 1500A下作为核点。
14. 测试频率:约0.5HZ
15. 配有电压电流的校验程序(仅供校验用)"
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